通过提高硅晶片、二极管或 IGBT 的开关速度、恢复时间和其他电气性能，您可以增加竞争优势，在目标行业中占据更大的市场份额。
基于辐照的电子束 处理是一种定制开关速度（功率半导体的少数载流子寿命控制）的可靠且可重复的方法，可用于许多双极硅功率半导体，例如 IGBT、SCR、BJT 和 GTO。 这种（用于寿命控制的重金属扩散）与传统的金或铂掺杂工艺相比具有显著优势：
- 电子束辐照影响可以通过后续退火完全消除
- 可以方便地控制均匀度，具有高度可重复性
- 不仅能够处理晶片，也能处理成品（包装后的）设备
电子束辐照具有可靠性和可重复性
我们的芯片载体不仅能经济高效地一次性处理大量晶片，还可以使吸收剂量均匀分布在这些晶片中。
- 在北美、欧洲和亚洲可提供的电子束能量高达 12 MeV
- 只要遵循专业的质量保证程序，每一次都能应用正确的剂量
- 借助在国内和国际物流方面积累的经验，实现了快速而可靠的周转
使用电子束实现各种半导体的功能改进
- 二极管
- 晶闸管
- 门极关断晶闸管 (GTO)
- 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 双极结型晶体管 (BJT)
- 功率 MOSFET（其体二极管）
- 硅晶片
- 太阳能行业中的元件
- 电动车行业中的元件
